ترانزیستورهای ۵۰ نانومتری با مقاومت تماس بسیار پایین ساخته شدند
برنا - گروه علمی و فناوری: پژوهشگران با ابداع روش تبخیر مرحلهای موفق به رشد فلزات تکبلوری روی نیمهرساناها شدند.
ARCHIVE
رویدادها: ترانزیستورهای ۵۰ نانومتری با مقاومت تماس بسیار پایین ساخته شدند